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光致發(fā)光光譜（Photoluminescence，簡稱PL)，指物質(zhì)吸收光子（或電磁波）后重新輻射出光子（或電磁波）的過程。從量子力學理論上，這一過程可以描述為物質(zhì)吸收光子躍遷到較高能級的激發(fā)態(tài)后返回低能態(tài)，同時放出光子的過程。光致發(fā)光是多種形式的熒光（Fluorescence）中的一種。光致發(fā)光光譜是一種探測材料電子結(jié)構(gòu)的方法，它與材料無接觸且不損壞材料。光直接照射到材料上，被材料吸收并將多余能量傳遞給材料，這個過程叫做光激發(fā)。這些多余的能量可以通過發(fā)光的形式消耗掉。由于光...

太陽常數(shù)和大氣質(zhì)量太陽常數(shù)和大氣質(zhì)量是描述太陽輻射與大氣吸收情況的物理量。在地球大氣層上界，距太陽一個天文單位處，與陽光垂直的單位面積上，單位時間所得到的太陽總輻射能量叫一個太陽常數(shù)。上太陽常數(shù)標準值為1367W/m2，這里把太陽看成不變的光源，并且不考慮大氣吸收的影響。在地面上任何地方都不能排除大氣吸收對太陽輻射的影響，因此引入大氣質(zhì)量（airmass，AM）的概念。可以看出，太陽當頂時海平面處為AM1；外層空間不通過大氣的情況為AM0；通常接近人類生活現(xiàn)實的太陽高度角41...

關(guān)鍵詞：光通信、光無源器件、封裝、耦合、卓立漢光產(chǎn)品摘要：本文光無源器件的分類、封裝類型、結(jié)構(gòu)和電性能做出簡要介紹，并對對光無源器件生產(chǎn)過程中，卓立漢光可提供的工裝方案、設(shè)備改進等方面做說明。引子：2013年8月19日國務(wù)院發(fā)布《“寬帶中國”戰(zhàn)略及實施方案》，其中提到“加大對關(guān)鍵設(shè)備核心芯片、光電子器件、操作系統(tǒng)等產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的支持力度。”“寬帶中國戰(zhàn)略的實施，有利于促進相關(guān)產(chǎn)業(yè)，特別是光通信產(chǎn)業(yè)（包括光傳輸、光接入、光配套設(shè)備、光纖光纜制造及光器件制造等）的快速發(fā)展，有...

氙燈光源介紹：氙燈光源是利用氙氣放電而發(fā)光的電光源，由于放電物質(zhì)是惰性氣體氙氣，所以激發(fā)電位和電離電位相差較小。氙燈輻射光譜能量分布與日光相接近，色溫約為6000K。氙燈連續(xù)光譜的部分光譜分布幾乎與燈輸入功率變化無關(guān)，在壽命期內(nèi)光譜能量分布也變化不大。氙燈的光、電參數(shù)一致性好，工作狀態(tài)受外界條件變化的影響相對較小。市場現(xiàn)狀：LSH-X系列光源是現(xiàn)代科研實驗室的*儀器之一，倍受科研工作者的高度重視，北京卓立漢光儀器有限公司通過不懈的努力，以的產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)爭取成為氙燈光源使用者...

一、LED測量方法：LED測量一般采用兩種方法：光度測量和輻射度測量。光度測量僅僅局限于可見光波段，與人眼的響應有關(guān)。而輻射度測量則與人眼響應無關(guān)。兩種方法都可以表述LED的輻射功率和發(fā)光強度。輻射功率是LED在所有方向發(fā)射的所有功率（輻射通量）之和，單位是流明（*流明是光功率的單位*）或瓦。而發(fā)光強度是指向觀察者方向的每單位立體角內(nèi)照射到物體上的光通量，經(jīng)常認為是沿著LED的軸線方向，單位是坎德拉。利用我們的光纖光譜儀可以監(jiān)測LED測量中的輻照度、輻射度學量、光度學量（Lu...

熒光干擾問題和靈敏度較低嚴重阻礙了常規(guī)拉曼光譜的廣泛應用。但近年來發(fā)展起來的紫外拉曼光譜技術(shù)有效地解決了上述問題。紫外拉曼光譜技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展大大地擴展了拉曼光譜的應用范圍。右圖是紫外拉曼光譜避開熒光干擾的原理圖。熒光往往出現(xiàn)在300nm-700nm區(qū)域，或者更長波長區(qū)域。而在紫外區(qū)的某個波紫外拉曼光譜技術(shù)的另一個突出特點是，拉曼信號可以通過共振拉曼信號得到增強。共振拉曼效應可以從拉曼散射截面公式得到解釋：根據(jù)Kramers-Heisenberg-Dirac散射公式：在公式（...

ChameTESTER高速LED檢測系統(tǒng)ChameTESTER測試儀已重新設(shè)計，為符合測量及LED生產(chǎn)高速測試需求，整合了卓立漢光研發(fā)的SGMCCD攝譜儀及高速的Chame-3000系列LED電性分析儀，MEGALEDTESTER可用來測試所有LED相關(guān)之光學與電性參數(shù)。在生產(chǎn)過程中快速測量LED參數(shù)對于儀器是項特別的挑戰(zhàn)，因為符合CIE的測量標準時，出光效率非常低；在這同時，確保生產(chǎn)設(shè)備可以有效益生產(chǎn)的運轉(zhuǎn)，高速的測量時間是必要的，多項的LED的光學與電性參數(shù)測試均涵蓋其中...

隨著先進的設(shè)備和工藝的發(fā)展，使納米量級的測量成為可能。例如，變相光學干涉儀測量物體的表面粗糙度，目前可以達到1納米的分辨率。在半導體領(lǐng)域，已生產(chǎn)出線寬在亞微米量級的集成電路，提出測量準確率小于50納米的精度要求。這樣的應用對系統(tǒng)中不同元件相關(guān)配合精度和穩(wěn)定性提出了高的要求。例如，用顯微鏡對圖像進行高度放大的成像系統(tǒng)，顯微鏡和照像物鏡共同決定了相紙上每點的圖像。如果，在曝光過程中光學系統(tǒng)的每一部分（照明系統(tǒng)、樣品、顯微鏡光學系統(tǒng)、成像光學系統(tǒng)和相紙平面）都地一同移動，不存在相對...